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技術(shù)簡介 聯(lián)盟介紹 創(chuàng)新平臺
晶棧?Xtacking? 是長江存儲核心技術(shù)品牌，代表著長江存儲在3D NAND存儲技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新進(jìn)取和卓越貢獻(xiàn)
是長江存儲面向企業(yè)客戶、消費(fèi)者推廣3D NAND產(chǎn)品的關(guān)鍵所在，也是體現(xiàn)長江存儲原創(chuàng)設(shè)計的代表品牌。
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晶棧?Xtacking? 技術(shù)詳解

創(chuàng)新發(fā)展，走出獨(dú)具特色的技術(shù)路線

在兩片晶圓上完成
獨(dú)立的制造工藝

CMOS 外圍電路晶圓

NAND存儲陣列晶圓

通過金屬互聯(lián)通道VIAs
進(jìn)行兩片晶圓的鍵合

合并為牢固的整體
在晶棧?Xtacking? 架構(gòu)推出前，市場上的3D NAND主要分為傳統(tǒng)并列式架構(gòu)和CuA（CMOS under Array）架構(gòu)。長江存儲通過創(chuàng)新布局和縝密驗證，經(jīng)過長達(dá)9年在3D IC領(lǐng)域的技術(shù)積累和4年的研發(fā)驗證后，終于將晶圓鍵合這一關(guān)鍵技術(shù)在3D NAND閃存上得以實現(xiàn)。在指甲蓋大小的面積上實現(xiàn)數(shù)十億根金屬通道的連接，合二為一成為一個整體，擁有與同一片晶圓上加工無異的優(yōu)質(zhì)可靠性表現(xiàn)，這項技術(shù)為未來3D NAND帶來更多的技術(shù)優(yōu)勢和無限的發(fā)展可能。隨著層數(shù)的不斷增高，基于晶棧?Xtacking? 所研發(fā)制造的3D NAND閃存將更具成本和創(chuàng)新優(yōu)勢。

9年

技術(shù)積累

4年

研發(fā)驗證

創(chuàng)新架構(gòu)
以科技賦能閃存技術(shù)革新
更快

晶棧?Xtacking? 創(chuàng)新架構(gòu)使3D NAND
能擁有更快的I/O傳輸速度

晶棧?Xtacking? 可實現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的邏輯工藝，從而讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的晶棧?Xtacking? 技術(shù)只需一個處理步驟即可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合，合二為一。
更高

晶棧?Xtacking? 創(chuàng)新架構(gòu)使3D NAND
能擁有更高的存儲密度

在傳統(tǒng)3DNAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積20~30%，晶棧? Xtacking? 技術(shù)創(chuàng)新的將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度，芯片面積可減少約25%。
更靈活

晶棧?Xtacking? : 模組化的工藝
將提升研發(fā)效率并縮短生產(chǎn)周期

晶棧?Xtacking? 技術(shù)充分利用存儲單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢，實現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計及制造，產(chǎn)品開發(fā)時間可縮短三個月，生產(chǎn)周期可縮短20%。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。
晶棧?Xtacking? 屢獲殊榮

長江存儲推出的晶棧?Xtacking? 技術(shù)
在全球行業(yè)活動中獲得多項榮譽(yù)

2018年8月，長江存儲在全球頂級閃存峰會“Flash Memory Summit”上發(fā)布了其革新技術(shù)晶棧?Xtacking? 架構(gòu)， 并一舉斬獲大會最高榮譽(yù)“Best of Show“——“最具創(chuàng)新初創(chuàng)閃存企業(yè)”獎項。此獎項表彰對象為存儲行業(yè)最具創(chuàng)新和探索精神的初創(chuàng)公司。
2020年1月2日，長江存儲在由中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟、中國半導(dǎo)體行業(yè)專業(yè)媒體集微網(wǎng)共同舉辦的“2020中國IC風(fēng)云榜”中斬獲“年度技術(shù)突破獎”，是中國半導(dǎo)體集成電路權(quán)威投資機(jī)構(gòu)和專業(yè)媒體對長江存儲創(chuàng)新能力和取得成果的肯定。
持續(xù)升級——晶棧? Xtacking? 2.0

在長江存儲第三代系列產(chǎn)品中，晶棧? Xtacking? 已全面升級至2.0，進(jìn)一步釋放3D NAND閃存潛能

晶棧? Xtacking? 2.0將充分利用架構(gòu)優(yōu)勢為客戶帶來更多價值。其中包括：進(jìn)一步提升閃存吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能、開啟定制化閃存全新商業(yè)模式等。
通過與客戶、行業(yè)合作伙伴和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的緊密合作，搭載晶棧? Xtacking? 2.0技術(shù)的第三代產(chǎn)品將被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備等領(lǐng)域，并將開啟高性能、定制化閃存解決方案的全新篇章。

長江存儲將持續(xù)投入研發(fā)資源，以通過技術(shù)和產(chǎn)品的迭代，使每一代產(chǎn)品都具備強(qiáng)勁的市場競爭力，更好地滿足全球客戶的需求。



隨著5G，人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時代的到來，閃存市場的需求將持續(xù)增長。長江存儲晶棧? Xtacking? 系列3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲器市場健康發(fā)展注入新動力，為未來三維閃存技術(shù)發(fā)展帶來無限可能。