公司愿景
成為存儲技術的領先者
全球半導體產業的核心價值貢獻者
全球半導體產業的核心價值貢獻者
長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總部位于“江城”武漢，是一家集芯片設計、生產制造、封裝測試及系統解決方案產品于一體的存儲器IDM企業。長江存儲為全球合作伙伴提供3D NAND閃存晶圓及顆粒， 嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案，廣泛應用于移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心等領域。
18年
集成電路11年
3D NAND 研發制造我們的創新歷程
2014
3D NAND閃存項目正式啟動
2015
9層3D NAND閃存測試芯片通過電氣性能驗證
2016
第一代3D NAND 閃存測試芯片設計完成
長江存儲科技有限責任公司成立
長江存儲1期工廠破土動工
長江存儲科技有限責任公司成立
長江存儲1期工廠破土動工
2017
第一代3D NAND 閃存設計完成并實現首次流片
長江存儲1期工廠實現提前封頂
長江存儲1期工廠實現提前封頂
2018
第二代3D NAND閃存實現首次流片
在全球閃存峰會(FMS)上發布 Xtacking? 架構并獲得Best of Show獎項
第一代3D NAND閃存實現量產
在全球閃存峰會(FMS)上發布 Xtacking? 架構并獲得Best of Show獎項
第一代3D NAND閃存實現量產
2019
第二代3D NAND閃存實現量產
第三代 TLC 3D NAND（X2-9060）設計完成，并實現首次流片
第三代 TLC 3D NAND（X2-9060）設計完成，并實現首次流片
2020
第三代 QLC 3D NAND（X2-6070) 研發成功
消費級SSD上市
eMMC/UFS嵌入式存儲通過客戶驗證
消費級SSD上市
eMMC/UFS嵌入式存儲通過客戶驗證
2021
第三代 TLC/QLC NAND（X2-9060/ X2-6070）量產
eMMC/UFS量產出貨
長江存儲1期工廠實現滿產
eMMC/UFS量產出貨
長江存儲1期工廠實現滿產
2022
基于第三代 NAND的系統解決方案上市
2023
第四代 TLC/QLC NAND(X3-9070/X3-9060)量產
2024
第五代 TLC 3D NAND(X4-9060)研發成功并量產
我們的使命:
用芯書寫記憶，讓世間美好長存
用芯書寫記憶，讓世間美好長存
致力于成為存儲技術的領先者 全球半導體產業的核心價值貢獻者
2017年10月，長江存儲通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計制造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長江存儲自主創新 Xtacking? 架構的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產。2020年4月，長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產品研發成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發布之時*業界*最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。
截至目前長江存儲已在武漢、北京等地設有研發中心，全球共有員工8000余人，其中研發工程技術人員6000余人。通過不懈努力和技術創新，致力于成為存儲技術的領先者，全球半導體產業的核心價值貢獻者。
*發布之時指2020年4月10日，業界指全球全部3D NAND閃存顆粒原廠，最高的I/O速度指1600MT/s，符合當時ONFI最高標準，最高存儲密度指當時業界相同容量的芯片橫向對比中長江存儲X2-9070面積更小，最高的單顆容量指的是單顆裸片(die) 1.33Tb容量
截至目前長江存儲已在武漢、北京等地設有研發中心，全球共有員工8000余人，其中研發工程技術人員6000余人。通過不懈努力和技術創新，致力于成為存儲技術的領先者，全球半導體產業的核心價值貢獻者。
*發布之時指2020年4月10日，業界指全球全部3D NAND閃存顆粒原廠，最高的I/O速度指1600MT/s，符合當時ONFI最高標準，最高存儲密度指當時業界相同容量的芯片橫向對比中長江存儲X2-9070面積更小，最高的單顆容量指的是單顆裸片(die) 1.33Tb容量
+
專利申請
+
工程師投入
專利積累
超過
項
專利申請
超過
項
國際專利
包含
%
的
發明專利
每年新增
項
專利申請