UFS 3.1 嵌入式存儲
存儲容量
產(chǎn)品特性
技術(shù)加持提升產(chǎn)品性能
· 支持Write-Booster與HPB 2.0功能,有效提高讀寫速度、減少卡頓,全方位提升產(chǎn)品性能
· 新增主機碎片化整理技術(shù)(HID),進(jìn)一步優(yōu)化數(shù)據(jù)處理操作,釋放更多存儲空間
· 引入隨機寫性能優(yōu)化機制,將寫入速度提升至230K IOPS*
· 長江存儲原廠固件開發(fā),激發(fā)自有閃存最大潛能,確保UC023更高性能、更高品質(zhì)發(fā)揮
晶棧?Xtacking?2.0
· 全新升級的長江存儲晶棧Xtacking?2.0技術(shù),實現(xiàn)行業(yè)優(yōu)異的I/O速度、更高的存儲密度及更高的產(chǎn)品品質(zhì)
· 具有出色的性能功耗比,發(fā)揮極致讀寫性能的同時,仍能保證超低功耗運行,有效降低設(shè)備的發(fā)熱與能耗
豐富組合提供多種選擇
· 128GB、256GB和512GB三款存儲容量,滿足主流市場的容量需求
· 產(chǎn)品通過各平臺驗證,兼容性強、應(yīng)用廣泛
容量點 | 128GB | 256GB | 512GB | |
UFS協(xié)議 | 3.1 | |||
M-PHY接口 | 4.1 | |||
UniPro協(xié)議 | 1.8 | |||
工作電壓(V) | VCC: 2.5V,VCCQ: 1.2V | |||
性能 | 順序讀取 (MB/s) | 2000 | 2000 | 2000 |
順序?qū)懭?(MB/s) | 1000 | 1200 | 1300 | |
環(huán)境 | 工作溫度 | -25-85℃ |
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