前言：

眼下全速PCIe 5.0 SSD尚未問世，而PCIe 4.0 SSD的輝煌盛世已經(jīng)來臨。致態(tài)率先推出了應(yīng)用晶棧（Xtacking）3.0的TiPlus7100，我們得以在主流級SSD上提前享受下代PCIe 5.0旗艦產(chǎn)品將要采用的全新閃存技術(shù)！

TiPlus7100包裝盒右上角醒目的SATURATION是致態(tài)新提出的飽和概念（Saturate The Bus），它源于SATURATION FUNCTION飽和函數(shù)概念：到達(dá)臨界值后，縱軸數(shù)值不再變化，趨于飽和。

當(dāng)前四通道DRAMLess SSD的讀取速度通常在5000MB/s左右，而TiPlus7100則能達(dá)到7000MB/s以上，令PCIe 4.0 x4接口的帶寬優(yōu)勢得到完整體現(xiàn)。

致態(tài)TiPlus7100全容量型號均采用單面PCB設(shè)計，可以廣泛地兼容臺式機(jī)、輕薄筆記本和PS5游戲主機(jī)等硬件。

晶棧3.0架構(gòu)：

SATURATION飽和理念仰賴的是長江存儲晶棧（Xtacking）3.0技術(shù)：致態(tài)TiPlus7100所用長江存儲原廠閃存的IO接口提速50%，達(dá)到2400MT/s，主控只需四通道即可跑滿PCIe 4.0 x4接口。

晶棧Xtacking 技術(shù)在兩片晶圓上分別完成CMOS外圍電路和NAND存儲陣列部分，然后通過金屬互聯(lián)通道VIAs進(jìn)行鍵合。并行和模塊設(shè)計制造提升研發(fā)效率并縮短了閃存生產(chǎn)周期。

TiPlus7100使用的閃存在CMOS外圍電路部分使用了晶棧3.0架構(gòu)：2400MT/s的IO傳輸速率相比上代產(chǎn)品（1600MT/s）提速50%。I/O接口提速幫助致態(tài)TiPlus7100用更少的閃存通道，實(shí)現(xiàn)更快的SSD讀寫速度。

除了I/O接口提速之外，長江存儲還提升了閃存的寫入性能。四通道設(shè)計的致態(tài)TiPlus7100 1TB緩?fù)庵睂懰俣冗_(dá)到2000MB/s，和八通道設(shè)計的三星980PRO、西數(shù)SN850處于同一水平。致態(tài)TiPlus7100的問世，徹底改變了游戲規(guī)則：高性價比的主流級四通道SSD現(xiàn)在能夠?qū)Π送ǖ赖钠炫灱壆a(chǎn)品直接發(fā)起挑戰(zhàn)。

SATURATION與閃存IO速度：

長江存儲Xtacking晶棧技術(shù)從1.0發(fā)展到3.0，閃存的IO速度自800MT/s、1600MT/s，提升到了2400MT/s。閃存IO速度和閃存通道數(shù)量一起決定了SSD的順序讀寫速度，雖然SATURATION是最近新提出的概念，但實(shí)際上長江存儲致態(tài)一直以每代閃存都能幫助SSD跑滿其外部接口帶寬為目標(biāo)。

上表展示了各種閃存配置下SSD內(nèi)部帶寬占外部接口帶寬的百分比，超過100%意味著接口帶寬飽和。SATURATION意味著用滿接口帶寬，不留性能遺憾。

測試平臺和軟件信息：

測試平臺：

CPU：AMD Ryzen 9 5900X

主板：Gigabyte X570 AORUS ELITE WIFI

內(nèi)存：DDR4-3000

硬盤：Kingston KC2000 250GB（OS）

致態(tài)TiPlus7100 1TB

系統(tǒng)：Windows 11 22H2

驅(qū)動：stornvme

CrystalDiskInfo信息識別：

CDI能夠識別NVMe固態(tài)硬盤的傳輸模式和標(biāo)準(zhǔn)SMART健康信息。致態(tài)TiPlus7100 1TB繼續(xù)采用1024GB滿容量設(shè)計，使用PCIe 4.0 x4接口、NVMe 1.4協(xié)議。

HWiNFO64硬件信息識別：TiPlus7100支持512字節(jié)MPS，在AMD銳龍平臺上可以實(shí)現(xiàn)更高的PCIe傳輸效率，也是實(shí)現(xiàn)7400MB/s讀速的關(guān)鍵。在最高支持256字節(jié)MPS的英特爾平臺上，順序讀取速度將被限制到7200MB/s左右。

基準(zhǔn)測試：

基準(zhǔn)測試1：理論帶寬測試

通過CrystalDiskMark可以測試SSD的理論讀寫性能。致態(tài)TiPlus7100 1TB的實(shí)測成績?yōu)轫樞蜃x取7450.47MB/s，順序?qū)懭?222.62MB/s；隨機(jī)讀取987K IOPS，隨機(jī)寫入895K IOPS。

盡管致態(tài)TiPlus7100使用的是DRAMLess（無DRAM緩存）設(shè)計，但理論讀寫性能已經(jīng)和DRAMBased（帶DRAM緩存）的PCIe 4.0旗艦級產(chǎn)品全面看齊。

基準(zhǔn)測試2：PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測試

PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)針對當(dāng)代最新固態(tài)硬盤的廣泛測試，涵蓋了系統(tǒng)開機(jī)啟動、Adobe設(shè)計套件應(yīng)用、Office辦公套件應(yīng)用、圖片/ISO文件拷貝復(fù)制、多個游戲加載過程等測試內(nèi)容。測試需要至少80GB的硬盤空間，單次測試產(chǎn)生的寫入量達(dá)到204GB，復(fù)雜度超過了PCMark 8存儲測試。

致態(tài)TiPlus7100 1TB在PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測試中獲得3511分，存儲帶寬552.58MB/s，平均存取時間47微秒。在致態(tài)TiPlus7100面前，現(xiàn)有的PCIe 4.0 DRAMLess產(chǎn)品將不堪一擊，即便是帶有DRAM緩存（DRAM Based）的旗艦級型號也未必能占到便宜。

基準(zhǔn)測試3：3DMark存儲性能測試

3DMark存儲基準(zhǔn)測試涵蓋了戰(zhàn)地5、使命召喚15：黑色行動4、守望先鋒三款游戲的啟動加載過程、在運(yùn)行守望先鋒的同時通過OBS記錄1080P游戲視頻、從EPIC平臺安裝天外世界、天外世界游戲進(jìn)度保存以及將Steam游戲反恐精英：全球攻勢從移動硬盤拷貝到系統(tǒng)盤的過程，涵蓋了PC游戲玩家所能遇到的方方面面。

致態(tài)TiPlus7100 1TB在3DMark存儲測試中取得3702分，存儲帶寬627.67MB/s，平均存取時間48微秒。憑借驕人的成績，致態(tài)TiPlus7100 1TB輕松躋身旗艦級性能行列。

進(jìn)階測試：

進(jìn)階測試項(xiàng)目1：SLC緩存測試

通過無文件系統(tǒng)條件下的IOMeter寫入測試可以得知，在空盤條件下致態(tài)TiPlus7100 1TB可以提供大約160GB的SLC寫入緩存空間。在SLC緩存外的TLC直寫速度約為2000MB/s。

在使用IOMeter向盤內(nèi)填入477GB數(shù)據(jù)后，致態(tài)TiPlus7100 1TB的可用SLC寫入緩存空間在70到160GB之間（非固定）。

半盤狀態(tài)下理論讀寫性能基本不變：

半盤狀態(tài)下3DMark存儲測試成績3707分，相比空盤未下滑：

進(jìn)階測試項(xiàng)目2：溫度壓力測試

溫度壓力測試在被動散熱條件下進(jìn)行，目的是檢驗(yàn)NVMe SSD在高工作負(fù)載下如何進(jìn)行溫度管理。當(dāng)主控或閃存過熱時，SSD主控將限制功率并將溫度保持在安全范圍之內(nèi)。測試使用IOMeter進(jìn)行，利用HWiNFO64每秒記錄速度和溫度信息。

23度室溫被動散熱條件下，溫度壓力測試開始113秒后溫度達(dá)到73度，功率限制介入，讀取速度下降到5000MB/s左右。限速25秒后溫度下降至70度，限速解除。總體來看致態(tài)TiPlus7100的功耗控制還是非常不錯的，對性能的影響較小。

進(jìn)階測試項(xiàng)目3：筆記本平臺測試

將致態(tài)TiPlus7100 1TB安裝在機(jī)械革命無界14（酷睿i5-12500H）上作為系統(tǒng)盤使用。筆記本啟用安靜模式，PCMark 10現(xiàn)代辦公續(xù)航測試成績?yōu)?小時44分，ASPM及APST節(jié)能特性工作正常，沒有掉盤或卡頓問題。

總結(jié)：

單面PCB設(shè)計的TiPlus7100具備靈活的空間兼容性，能夠滿足筆記本、臺式機(jī)以及PS5用戶的PCIe 4.0擴(kuò)容需要。憑借晶棧（Xtacking）3.0技術(shù)創(chuàng)新帶來的閃存優(yōu)勢，致態(tài)TiPlus7100的性能表現(xiàn)在同類DRAMLess產(chǎn)品中一枝獨(dú)秀，展現(xiàn)出了媲美DRAMBased旗艦級產(chǎn)品的實(shí)力，成為游戲規(guī)則的改變者。

目前致態(tài)TiPlus7100已在京東和天貓開啟預(yù)售，感興趣的朋友不妨關(guān)注一下。